gan hemt 文章 進(jìn)入gan hemt技術(shù)社區(qū)
GaN HEMT為開關(guān)應(yīng)用帶來低噪聲功率
- 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 是場效應(yīng)晶體管的一種形式,它在微波頻率下工作時結(jié)合了高水平的性能和低噪聲系數(shù)。不過,HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同,它的性能優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)結(jié)或 MOSFET。這些獨特的器件在微波射頻 (RF) 應(yīng)用中表現(xiàn)出色。來自 n 型區(qū)域的電子穿過晶格,許多電子保持在異質(zhì)結(jié)附近(異質(zhì)結(jié)是指通過兩個或多個半導(dǎo)體的接觸耦合形成的界面區(qū)域)。這種只有一層厚的電子形成二維電子氣體。650V GaN HEMT 的開關(guān)能量 (Esw) 是在硬開關(guān)條
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CGD 官宣突破100KW以上技術(shù),推動GAN挺進(jìn)超100億美元的電動汽車逆變器市場
- 無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices(CGD)開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件,使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵(GaN)技術(shù)滿足100kW 以上的電動汽車動力系統(tǒng)應(yīng)用,該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)組合在同一個模塊或集成功率管理器件(IPM)中,最大限度地提高了效率,為昂
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基于GaN的汽車應(yīng)用的最新進(jìn)展是什么?
- 電動汽車 (EV) 越來越受歡迎,因為精明的消費者,尤其是在加利福尼亞州,認(rèn)識到出色的加速性能的優(yōu)勢,例如,當(dāng)紅綠燈變綠時,汽油動力汽車可能會被塵土甩砸。這是因為電動機在駕駛員踩下油門的那一刻就會產(chǎn)生峰值扭矩。然而,與內(nèi)燃機 (ICE) 汽車相比,電動汽車的主要動機是能源效率。EV 車載電池充電器EV1 的車載電池充電器 (OBC) 完全能夠為來自交流電網(wǎng)的高壓牽引電池充電(圖 1)。停放的車輛插入 EV 1 級和 2 級交流充電站之一,這些充電站出現(xiàn)在停車場、家庭、公司、購
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氮化鎵(GaN)賦能D類音頻放大器的未來
- 了解如何將氮化鎵(GaN)功率晶體管技術(shù)應(yīng)用于D類音頻放大器,可以提高信號保真度,降低功耗,并提供比硅更輕、更具成本效益的解決方案。在音頻工程中,放大器是傳遞強大、沉浸式聲音的核心設(shè)備。這些設(shè)備將低功率音頻信號轉(zhuǎn)換為豐富、高功率的輸出,從而驅(qū)動從便攜式揚聲器到專業(yè)音響系統(tǒng)的一切設(shè)備。在過去十年中出現(xiàn)的各種放大器設(shè)計中,有一種脫穎而出:D類放大器。以其高效性和廣泛使用而聞名,D類技術(shù)主導(dǎo)了現(xiàn)代音頻領(lǐng)域。然而,即使是最受歡迎的放大器也有其局限性。當(dāng)前的D類音頻系統(tǒng)雖然效率很高,但在性能上仍面臨挑戰(zhàn)。D類放大器
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GaN功率FET及背后柵極驅(qū)動器在LiDAR傳感器中的作用
- 氮化鎵 (GaN) 功率器件因其超快的開關(guān)速度和有限的寄生效應(yīng)而成為 LiDAR 傳感器的核心構(gòu)建模塊之一,從而在高總線電壓和窄脈沖寬度下實現(xiàn)高峰值電流。為了迎來自動駕駛汽車的未來,必須在車輛系統(tǒng)內(nèi)使用更先進(jìn)的傳感器。LiDAR 是檢測自動駕駛汽車周圍物體存在的更廣泛使用的傳感器之一,它是光檢測和測距的縮寫,它從激光射出光并測量場景中的反射,有點像基于光的雷達(dá)。車輛的車載計算機可以使用這些數(shù)據(jù)來解釋汽車與周圍環(huán)境的關(guān)系以及道路上是否存在其他汽車和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個非??焖俚拈_關(guān),該開關(guān)為
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50V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小,散熱性能出色,還具有優(yōu)異的電流容量和開關(guān)特性,因此在工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備以及需要支持大功率的應(yīng)用領(lǐng)域被越來越多地采用。此次,ROHM將封裝工序外包給了作為半導(dǎo)體后道工序供應(yīng)商(OSAT)擁有豐富業(yè)績的日月新半導(dǎo)體(威海)有限公司(ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.,以下簡稱“ATX”)。
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日本電裝開發(fā)出GaN 三電平汽車電驅(qū)方案
- 據(jù)日媒報道,名古屋大學(xué)和日本電裝公司利用橫向 GaN HEMT,合作開發(fā)出了一種 800V 兼容逆變器(三相、三電平),主要用于驅(qū)動使用的電動汽車牽引電機(圖 1)。據(jù)了解,名古屋大學(xué)與松下控股、豐田合成、大阪大學(xué)和電裝合作,參與了日本環(huán)境省自 2022 年以來實施的項目“加速實現(xiàn)創(chuàng)新 CO? 減排材料的社會實施和傳播項目”。新開發(fā)的高壓三電平逆變器是該項目努力的結(jié)果。圖1 :電裝橫向 GaN HEMT 電驅(qū)逆變器(左)、單相降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器運行時的開關(guān)波形(右)。提高電動汽車和混合動力電動汽車(
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復(fù)旦大學(xué)在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索
- 異質(zhì)異構(gòu)Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數(shù)據(jù)處理的重要技術(shù)路線之一,正引起整個半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛關(guān)注,但這種方法要真正實現(xiàn)商業(yè)化,仍有賴于通用標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而,以拓展摩爾定律為標(biāo)注的模擬類比芯片技術(shù),在非尺寸依賴追求應(yīng)用多樣性、多功能特點的現(xiàn)實需求,正在推動不同半導(dǎo)體材料的異質(zhì)集成研究。為此,復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授、江南大學(xué)集成電路學(xué)院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng)新研究,并在近期國內(nèi)重要會議上進(jìn)行報道。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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650V耐壓GaN HEMT新增小型與高散熱TOLL封裝
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小,散熱性能出色,還具有優(yōu)異的電流容量和開關(guān)特性,因此在工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備以及需要支持大功率的應(yīng)用領(lǐng)域被越來越多地采用。此次,ROHM將封裝工序外包給了作為半導(dǎo)體后道工序供應(yīng)商(OSAT)擁有豐富業(yè)績的日月新半導(dǎo)體(威海)有限公司(ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.,以下簡稱“ATX”)。
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技術(shù)洞察 | 邁向更綠色的未來:GaN技術(shù)的變革性影響
- 作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產(chǎn)品高級總監(jiān)校對宋清亮 英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務(wù)高級首席工程師過去幾十年間,人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長,并且預(yù)計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結(jié)果。因此,數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計,2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時(TWh)。近年來,全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長 [1] 。圖1:1910年以來
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春晚科技 「秧」 光:人形機器人未來已來
- 在科技浪潮的推動下,人形機器人正逐漸從幕后走向臺前。在 2025 央視春晚中,著名電影導(dǎo)演張藝謀攜手杭州宇樹科技、新疆藝術(shù)學(xué)院帶來了一個名為《秧 BOT》的節(jié)目。舞臺上,宇樹科技的人形機器人與新疆藝術(shù)學(xué)院的舞蹈演員們默契共舞,人機互動的奇妙場景,不僅帶來了一場別開生面的視覺盛宴,展現(xiàn)出一種前所未有的科技美感,更讓觀眾真切感受到人形機器人時代的腳步正越來越近。這群 BOT 什么來頭?春晚舞臺上的《秧 BOT》節(jié)目,由 16 個靈動的 BOT(機器人 robot 的簡稱)與 16 名技藝精湛的新疆藝術(shù)學(xué)院舞蹈
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日常生活中的工業(yè)技術(shù):助力智能生活的幕后力量
- 大多數(shù)人在想象工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)時,想到的是大型的機械和復(fù)雜的制造流程,這似乎與日常生活毫無關(guān)聯(lián)。然而通過實時控制,系統(tǒng)可以在規(guī)定的時間范圍內(nèi)收集、處理數(shù)據(jù)并自行更新。智能感應(yīng)可以檢測人員和機械,而邊緣人工智能 (AI) 可以快速、高效地做出決策。這些技術(shù)涵蓋從制造到物流的方方面面。它們就像超人一樣,從我們早上起床到晚上睡覺休息的這段時間里,在幕后悄悄地執(zhí)行著各種各樣的任務(wù),讓我們的世界正常運轉(zhuǎn)。對我們的日常生活來說,在工業(yè)應(yīng)用中使用的技術(shù)與智能手機一樣重要且有益。它們?yōu)槲覀児?jié)省了時間,增加了便利性;保護(hù)我
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國產(chǎn)1700V GaN器件進(jìn)一步打開應(yīng)用端市場
- 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題,他們采用特有的極化超級結(jié)(PSJ: Polarization Super Junction)技術(shù),并對工藝進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化,使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升(1700V/30A)。本次測試采用遠(yuǎn)山半導(dǎo)體提供的1700V/100mΩ規(guī)格GaN樣品,其可以輕松應(yīng)對1000V輸入電壓下的開關(guān)測試需求,在靜態(tài)測試條件下,1700V時測得
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邁向更綠色的未來:GaN技術(shù)的變革性影響
- 過去幾十年間,人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長,并且預(yù)計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結(jié)果。因此,數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計,2022 年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340 太瓦時(TWh)。近年來,全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持續(xù)增長[1]。圖1 1910年以來全球二氧化碳排放量(單位:千兆噸):總量(上);按行業(yè)劃分(下)隨著能源消耗的增加,相關(guān)的二氧化碳排放量也在2022年達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的37 千兆噸。為應(yīng)對這一問題,
- 關(guān)鍵字: 202412 GaN CoolGaN
深度 | GaN還是SiC,電氣工程師該如何選擇?
- / 編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性:氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù),極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動,高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品,對他們的結(jié)構(gòu)、特性、兩者的應(yīng)用差異等方面進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。引 言作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕,氮化鎵晶體
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對gan hemt的理解,并與今后在此搜索gan hemt的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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